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IRL3215
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
150 ––– ––– V V GS = 0V, I D = 250 μ A
Δ V (BR)DSS / Δ T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.20 –––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
ns
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
––– ––– 0.166 V GS = 10V, I D = 7.2A ?
––– ––– 0.184 Ω V GS = 5.0V, I D = 7.2A ?
––– ––– 0.208 V GS = 4.0V, I D = 6A ?
1.0 ––– 2.0 V V DS = V GS , I D = 250 μ A
8.3 ––– ––– S V DS = 25V, I D = 7.2A ?
––– ––– 25 V DS = 150V, V GS = 0V
μ A
––– ––– 250 V DS = 120V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– ––– 100 V GS = 16V
nA
––– ––– -100 V GS = -16V
––– ––– 35 I D = 7.2A
––– ––– 4.1 nC V DS = 120V
––– ––– 21 V GS = 5.0V, See Fig. 6 and 13 ??
––– 7.4 ––– V DD = 75V
––– 45 ––– I D = 7.2A
––– 38 ––– R G = 12 Ω, V GS = 5.0V
––– 36 ––– R D = 10.2 Ω, See Fig. 10 ??
L D
Internal Drain Inductance
???
4.5
???
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
D
L S
Internal Source Inductance
––– 7.5 –––
from package
and center of die contact ?
G
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
––– 775 ––– V GS = 0V
––– 140 ––– pF V DS = 25V
––– 70 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– –––
––– –––
12 ?
48
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 7.2A, V GS = 0V ?
––– 160 240 ns T J = 25°C, I F = 7.2A
Q rr
Reverse RecoveryCharge
––– 810 1210 nC
di/dt = 100A/ μ s ?
t on
Notes:
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L = 4.9mH
R G = 25 Ω , I AS = 7.2A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 7.2A, di/dt ≤ 100A/ μ s, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
2
? Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%.
? Caculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature;for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip # 93-4
www.irf.com
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